Fotodiodo PIN de silicio Vishay BPW82, Infrarrojo ±65°, λ sensibilidad máx. 950 nm, Orificio pasante, encapsulado PCB de
- Código RS:
- 244-4682
- Nº ref. fabric.:
- BPW82
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 bolsa de 1000 unidades)*
264,00 €
(exc. IVA)
319,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
- Última(s) 3000 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Bolsa* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,264 € | 264,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 244-4682
- Nº ref. fabric.:
- BPW82
- Fabricante:
- Vishay
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Espectros detectados | Infrarrojo | |
| Tipo de producto | Fotodiodo PIN de silicio | |
| Longitud de onda de sensibilidad máxima | 950nm | |
| Encapsulado | PCB | |
| Embalaje y empaquetado | PCB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 2 | |
| Mínima longitud de onda detectada | 790nm | |
| Máxima longitud de onda detectada | 1050nm | |
| Tiempo de caída típico | 100ns | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Amplificado | No | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 100°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4 mm | |
| Altura | 6.8mm | |
| Ángulo de media sensibilidad | ±65° | |
| Tiempo de subida típico | 100ns | |
| Corriente residual | 30nA | |
| Serie | BPW82 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Corriente de cortocircuito | 38μA | |
| Tensión de circuito abierto | 350mV | |
| Tensión de ruptura | 60V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Espectros detectados Infrarrojo | ||
Tipo de producto Fotodiodo PIN de silicio | ||
Longitud de onda de sensibilidad máxima 950nm | ||
Encapsulado PCB | ||
Embalaje y empaquetado PCB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 2 | ||
Mínima longitud de onda detectada 790nm | ||
Máxima longitud de onda detectada 1050nm | ||
Tiempo de caída típico 100ns | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Amplificado No | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 100°C | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4 mm | ||
Altura 6.8mm | ||
Ángulo de media sensibilidad ±65° | ||
Tiempo de subida típico 100ns | ||
Corriente residual 30nA | ||
Serie BPW82 | ||
Estándar de automoción No | ||
Corriente de cortocircuito 38μA | ||
Tensión de circuito abierto 350mV | ||
Tensión de ruptura 60V | ||
Enlaces relacionados
- Fotodiodo PIN de silicio BPW82 Vishay BPW82 λ sensibilidad máx. 950 nm encapsulado
- Fotodiodo PIN de silicio BP104S Vishay BP104 λ sensibilidad máx. 950 nm encapsulado
- Fotodiodo PIN de silicio Vishay BP104 λ sensibilidad máx. 950 nm encapsulado PCB de
- Fotodiodo PIN de silicio TEFD4300F Vishay TEFD4300F λ sensibilidad máx. 950 nm,
- Fotodiodo VBPW34FASR Vishay λ sensibilidad máx. 950 nm encapsulado Ala Inversa
- Fotodiodo TEMD7100X01 Vishay λ sensibilidad máx. 950 nm encapsulado 0805 de 2
- Fotodiodo VEMD5080X01 Vishay λ sensibilidad máx. 950 nm encapsulado QFN de 4
- Fotodiodo Vishay λ sensibilidad máx. 950 nm encapsulado GW de 2 pines