Fotodiodo InGaAs OSI Optoelectronics FCI-InGaAS, λ sensibilidad máx. 1700nm, mont. pasante, encapsulado TO-46 de 3 pines

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Código RS:
176-9781
Nº ref. fabric.:
FCI-InGaAs-120
Fabricante:
OSI Optoelectronics
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Marca

OSI Optoelectronics

Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico

1700nm

Encapsulado

TO-46

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Función de amplificador

No

Número de Pines

3

Material del Diodo

InGaAs

Mínima Longitud de Onda Detectada

900nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1700nm

Tiempo de Bajada Típico

0.3 (Maximum)ns

Longitud

2.54mm

Anchura

2.54mm

Altura

3.75mm

Diámetro

5.4mm

Fotosensibilidad de Pico

0.95A/W

Tiempo de Subida Típico

(Maximum) 0.3ns

Serie

FCI-InGaAS

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
US
Los modelos FCI-InGaAs-XXX-CCER con tamaños de área activa de 70 μm, 120 μm, 300 μm, 400 μm y 500 μm forman parte de la gama de fotodiodos con sensibilidad IR de alta velocidad de OSI Optoelectronics montados en sustratos cerámicos con forma de alas de gaviota con mirillas de cristal. Estos dispositivos tienen una mirilla de cristal en el sustrato cerámico para montar las fibras de manera eutéctica o con epoxi.

Aplicaciones del producto
Comunicación óptica de alta velocidad
Gigabit Ethernet/canal de fibra
SONET/SDH, ATM
Monitor de láser de diodo
Instrumentación
Características del producto
Ruido bajo
Responsividad alta
Alta velocidad
Rango espectral: 900 nm a 1.700 nm

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