Fotodiodo FCI-InGaAs-Q1000 OSI Optoelectronics FCI-InGaAS, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 1700 nm, Orificio

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Código RS:
176-9784
Nº ref. fabric.:
FCI-InGaAs-Q1000
Fabricante:
OSI Optoelectronics
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Marca

OSI Optoelectronics

Tipo de producto

Fotodiodo

Espectros detectados

Infrarrojo

Longitud de onda de sensibilidad máxima

1700nm

Encapsulado

TO-5

Tipo de montaje

Orificio pasante

Embalaje y empaquetado

Cinta y carrete

Número de pines

5

Mínima longitud de onda detectada

900nm

Máxima longitud de onda detectada

1700nm

Tiempo de caída típico

3ns

Amplificado

No

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-25°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

1.25mm

Longitud

1.49mm

Altura

4.16mm

Diámetro

9.14mm

Ángulo de media sensibilidad

65 °

Polaridad

Adelante

Estándar de automoción

No

Serie

FCI-InGaAS

Tiempo de subida típico

3ns

Tensión de ruptura

30V

Corriente residual

0.5nA

Estado RoHS: No aplica

La serie FCI-InGaAs-QXXX consta de fotodiodos InGaAs con área activa amplia que se dividen en cuatro áreas activas independientes. Estos fotodiodos se suministran con un área activa de 1 mm y 3 mm de diámetro. La serie InGaAs Quad presenta una elevada uniformidad de repuesta y una diafonía baja entre los elementos, ideal para aplicaciones de centrado o anulación precisas, así como de determinación de perfiles de haz. Ofrecen una excelente capacidad de respuesta entre 1.100 nm y 1.620 nm, y son estables en el tiempo y térmicamente; además, ofrecen tiempos de respuesta rápidos, algo necesario para el funcionamiento de impulsos o a alta velocidad. Los fotodiodos se ofrecen en encapsulados aislados TO-5 o TO-8 con una mirilla plana con tratamiento antirreflectante de doble cara de banda amplia.

Aplicaciones del producto

Sensores de posición

Alineación de haz

Determinación de perfiles de haz

Características del producto

Responsividad alta

Ruido bajo

Rango espectral: 900 nm a 1.700 nm

Diafonía baja

Amplio campo de visión

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