Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics UV, λ sensibilidad máx. 254nm, mont. pasante, encapsulado Perfil bajo de 3

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Código RS:
176-9786
Nº ref. fabric.:
UV-100L
Fabricante:
OSI Optoelectronics
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Marca

OSI Optoelectronics

Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico

254nm

Encapsulado

Perfil bajo

Función de amplificador

No

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Número de Pines

3

Material del Diodo

Si

Mínima Longitud de Onda Detectada

UV-100L

Máxima Longitud de Onda Detectada

254nm

Longitud

24.76mm

Altura

4.826mm

Diámetro

25.4mm

Fotosensibilidad de Pico

0.14A/W

Serie

UV

Tiempo de Subida Típico

5.9ns

Resistencia de shunt

10000KΩ

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
US
OSI Optoelectronics ofrece dos familias distintas de fotodiodos mejorados de silicio UV. Serie de canal de inversión y serie plana difusa. Ambas familias de dispositivos están especialmente diseñadas para una detección de ruido bajo en la zona de UV del espectro electromagnético. Los fotodiodos de UV mejorado de estructura de capa ofrecen una eficacia interna del 100% y son adecuados para medidas de luz de baja intensidad. Presentan una alta resistencia de derivación, bajo nivel de ruido y tensiones de ruptura altas. La uniformidad de respuesta de la superficie y la eficiencia cuántica mejoran al aplicar una polarización inversa de 5 a 10 voltios.

Aplicaciones del producto
Control de contaminación
Instrumentación médica
Medidores de exposición de UV
Espectroscopio
Purificación de agua
Fluorescencia
Características del producto
Serie de inversión: QE interna del 100 %
Resistencia de derivación ultraalta
Excelente respuesta a UV

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