Fotodiodo PIN-UV-100DQC OSI Optoelectronics, Ultravioleta 65 °, λ sensibilidad máx. 980 nm, Orificio pasante,
- Código RS:
- 177-5563
- Nº ref. fabric.:
- PIN-UV-100DQC
- Fabricante:
- OSI Optoelectronics
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- PIN-UV-100DQC
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- OSI Optoelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | OSI Optoelectronics | |
| Espectros detectados | Ultravioleta | |
| Tipo de producto | Fotodiodo | |
| Longitud de onda de sensibilidad máxima | 980nm | |
| Encapsulado | Encapsulado cerámico | |
| Embalaje y empaquetado | Cinta y carrete | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 2 | |
| Mínima longitud de onda detectada | 190nm | |
| Máxima longitud de onda detectada | 1100nm | |
| Tiempo de caída típico | 0.6ns | |
| Amplificado | No | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -25°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 2.03mm | |
| Anchura | 14.99mm | |
| Longitud | 16.51mm | |
| Ángulo de media sensibilidad | 65 ° | |
| Polaridad | Inverso | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tiempo de subida típico | 0.6ns | |
| Tensión de ruptura | 30V | |
| Corriente residual | 0.2nA | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca OSI Optoelectronics | ||
Espectros detectados Ultravioleta | ||
Tipo de producto Fotodiodo | ||
Longitud de onda de sensibilidad máxima 980nm | ||
Encapsulado Encapsulado cerámico | ||
Embalaje y empaquetado Cinta y carrete | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 2 | ||
Mínima longitud de onda detectada 190nm | ||
Máxima longitud de onda detectada 1100nm | ||
Tiempo de caída típico 0.6ns | ||
Amplificado No | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -25°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 2.03mm | ||
Anchura 14.99mm | ||
Longitud 16.51mm | ||
Ángulo de media sensibilidad 65 ° | ||
Polaridad Inverso | ||
Estándar de automoción No | ||
Tiempo de subida típico 0.6ns | ||
Tensión de ruptura 30V | ||
Corriente residual 0.2nA | ||
- COO (País de Origen):
- US
Fotodiodos OSI serie UV Enhanced
La serie UV Enhanced, de OSI Optoelectronics, son una gama de fotodiodos de silicio de UV mejorada. Esta serie incluye dos familias de fotodiodos independientes, canal de inversión y difuso planar. Ambas familias están diseñadas para una detección de ruido bajo en la zona de UV del espectro electromagnético.
La familia de estructura de capa de inversión ofrece una eficiencia interna del 100%. Esta familia de fotodiodos ofrece alta resistencia de derivación, bajo nivel de ruidos y tensiones de ruptura altas, y es ideal para medidas de luz de baja intensidad.
Los fotodiodos con la estructura difusa planar ofrecen una capacitancia más baja y tiempo de respuesta superior en comparación con la familia posterior de inversión. También muestran la linealidad de la corriente fotoeléctrica hasta una potencia de entrada de luz superior en comparación con los fotodiodos de capa de inversión.
Las aplicaciones adecuadas para la serie UV Enhanced incluye: control de contaminación, instrumentación médica, medidores de exposición UV, espectroscopios, purificación de agua y fluorescencia.
Características de la serie UV Enhanced:
Fotodiodos de silicio difuso planar o capas de inversión
Excelente respuesta a UV
Fotodiodos, OSI Optoelectronics
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