Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics, UV, λ sensibilidad máx. 980nm, mont. pasante, encapsulado Cerámico de 2 pines

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Código RS:
848-6294
Nº ref. fabric.:
PIN-UV-100DQC
Fabricante:
OSI Optoelectronics
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Marca

OSI Optoelectronics

Espectros Detectados

Ultravioleta

Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico

980nm

Encapsulado

Cerámico

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Función de amplificador

No

Número de Pines

2

Material del Diodo

Si

Mínima Longitud de Onda Detectada

190nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1100nm

Longitud

16.51mm

Anchura

14.99mm

Altura

2.03mm

Fotosensibilidad de Pico

0.5A/W

Polaridad

Inverso

COO (País de Origen):
US

Fotodiodos OSI serie UV Enhanced


La serie UV Enhanced, de OSI Optoelectronics, son una gama de fotodiodos de silicio de UV mejorada. Esta serie incluye dos familias de fotodiodos independientes, canal de inversión y difuso planar. Ambas familias están diseñadas para una detección de ruido bajo en la zona de UV del espectro electromagnético.
La familia de estructura de capa de inversión ofrece una eficiencia interna del 100%. Esta familia de fotodiodos ofrece alta resistencia de derivación, bajo nivel de ruidos y tensiones de ruptura altas, y es ideal para medidas de luz de baja intensidad.
Los fotodiodos con la estructura difusa planar ofrecen una capacitancia más baja y tiempo de respuesta superior en comparación con la familia posterior de inversión. También muestran la linealidad de la corriente fotoeléctrica hasta una potencia de entrada de luz superior en comparación con los fotodiodos de capa de inversión.
Las aplicaciones adecuadas para la serie UV Enhanced incluye: control de contaminación, instrumentación médica, medidores de exposición UV, espectroscopios, purificación de agua y fluorescencia.

Características de la serie UV Enhanced:
Fotodiodos de silicio difuso planar o capas de inversión
Excelente respuesta a UV


Fotodiodos, OSI Optoelectronics

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