Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR, λ sensibilidad máx. 850nm, mont. pasante, encapsulado TO-18 de 2 pines

El fotodiodo PIN BPX 65, de OSRAM Opto Semiconductors, se suministra en los encapsulados de metal TO-18. El encapsulado metálico está herméticamente sellado, lo que hace que el BPX 65 resulte ideal para aplicaciones en entornos hostiles a temperaturas de hasta 125 °C. Entre otras aplicaciones adecuadas se cuentan la electrónica industrial, los fotodetectores de alta velocidad y los circuitos de control/accionamiento.

Características de los fotodiodos PIN de silicio BPX 65:
Encapsulado metálico TO-18
Montaje de orificio pasante
Longitud de onda: de 350 a 1100 nm
Tiempo de conmutación corto

Fotodiodos de infrarrojos, OSRAM Opto Semiconductors