Fotodiodo de silicio Osram Opto, IR, λ sensibilidad máx. 850nm, mont. superficial, encapsulado Smart DIL de 2 pines
- Código RS:
- 912-8318
- Nº ref. fabric.:
- BPW 34 S-Z
- Fabricante:
- OSRAM Opto Semiconductors
3000 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1500)
0,335 €
(exc. IVA)
0,405 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
| 1500 - 3000 | 0,335 € | 502,50 € |
| 4500 + | 0,318 € | 477,00 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 912-8318
- Nº ref. fabric.:
- BPW 34 S-Z
- Fabricante:
- OSRAM Opto Semiconductors
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Fotodiodo PIN con encapsulado DIL
Esta familia de fotodiodos de IR, de OSRAM Opto Semiconductors, pertenece a la serie BPW 34. Se suministran en encapsulados plásticos DIL de montaje en superficie (SMD) u orificio pasante con un área sensible a la radiación de 2,65 x 2,65 mm². Los fotodiodos de infrarrojos BPW 34 están diseñados para aplicaciones con un rango de longitud de onda de hasta 1.100 nm. Entre otras aplicaciones adecuadas se incluyen: fotointerruptores, control remoto de infrarrojos y sensores para automoción, auriculares, etc.
Fotodiodos de infrarrojos, OSRAM Opto Semiconductors
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Espectros Detectados | Infrarrojo |
| Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico | 850nm |
| Encapsulado | Smart DIL |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Función de amplificador | No |
| Número de Pines | 2 |
| Material del Diodo | Si |
| Mínima Longitud de Onda Detectada | 400nm |
| Máxima Longitud de Onda Detectada | 1100nm |
| Tiempo de Bajada Típico | 0.02µs |
| Longitud | 4.5mm |
| Anchura | 3.7mm |
| Altura | 1.2mm |
| Corriente de cortocircuito | 80µA |
| Polaridad | Positivo |
| Tiempo de Subida Típico | 0.02µs |
- Código RS:
- 912-8318
- Nº ref. fabric.:
- BPW 34 S-Z
- Fabricante:
- OSRAM Opto Semiconductors
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