Fotodiodo de silicio ams OSRAM BPW 34, λ sensibilidad máx. 950nm, mont. superficial, encapsulado DIL de 2 pines
- Código RS:
- 915-4869
- Nº ref. fabric.:
- BPW 34 FSR-Z
- Fabricante:
- ams OSRAM
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Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
0,577 €
(exc. IVA)
0,698 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
20 - 180 | 0,577 € | 11,54 € |
200 - 380 | 0,544 € | 10,88 € |
400 - 780 | 0,467 € | 9,34 € |
800 - 1480 | 0,434 € | 8,68 € |
1500 + | 0,389 € | 7,78 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 915-4869
- Nº ref. fabric.:
- BPW 34 FSR-Z
- Fabricante:
- ams OSRAM
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Estado RoHS: No cumple
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
Fotodiodo PIN con encapsulado DIL
Esta familia de fotodiodos de IR, de OSRAM Opto Semiconductors, pertenece a la serie BPW 34. Se suministran en encapsulados plásticos DIL de montaje en superficie (SMD) u orificio pasante con un área sensible a la radiación de 2,65 x 2,65 mm². Los fotodiodos de infrarrojos BPW 34 están diseñados para aplicaciones con un rango de longitud de onda de hasta 1.100 nm. Entre otras aplicaciones adecuadas se incluyen: fotointerruptores, control remoto de infrarrojos y sensores para automoción, auriculares, etc.
Fotodiodos de infrarrojos, OSRAM Opto Semiconductors
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico | 950nm |
Encapsulado | DIL |
Función de amplificador | No |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Número de Pines | 2 |
Material del Diodo | Si |
Mínima Longitud de Onda Detectada | 780nm |
Máxima Longitud de Onda Detectada | 1100nm |
Tiempo de Bajada Típico | 0.02µs |
Longitud | 4.5mm |
Anchura | 4mm |
Altura | 1.2mm |
Tiempo de Subida Típico | 0.02µs |
Polaridad | Positivo |
Corriente de cortocircuito | 25µA |
Serie | BPW 34 |
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