Fotodiodo de silicio Osram Opto, IR, λ sensibilidad máx. 850nm, mont. superficial, encapsulado Smart DIL de 2 pines

Código RS:: 912-8318
Nº ref. fabric.:: BPW 34 S-Z
Fabricante:: OSRAM Opto Semiconductors

Fotodiodo de silicio Osram Opto, IR, λ sensibilidad máx. 850nm, mont. superficial, encapsulado Smart DIL de 2 pines

3120 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1500)

0,335 €

(exc. IVA)

0,405 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1500 - 3000	0,335 €	502,50 €
4500 +	0,318 €	477,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 912-8318
Nº ref. fabric.:: BPW 34 S-Z
Fabricante:: OSRAM Opto Semiconductors

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Fotodiodo PIN con encapsulado DIL

Esta familia de fotodiodos de IR, de OSRAM Opto Semiconductors, pertenece a la serie BPW 34. Se suministran en encapsulados plásticos DIL de montaje en superficie (SMD) u orificio pasante con un área sensible a la radiación de 2,65 x 2,65 mm². Los fotodiodos de infrarrojos BPW 34 están diseñados para aplicaciones con un rango de longitud de onda de hasta 1.100 nm. Entre otras aplicaciones adecuadas se incluyen: fotointerruptores, control remoto de infrarrojos y sensores para automoción, auriculares, etc.

Fotodiodos de infrarrojos, OSRAM Opto Semiconductors

Especificaciones

Atributo	Valor
Espectros Detectados	Infrarrojo
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico	850nm
Encapsulado	Smart DIL
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Función de amplificador	No
Número de Pines	2
Material del Diodo	Si
Mínima Longitud de Onda Detectada	400nm
Máxima Longitud de Onda Detectada	1100nm
Tiempo de Bajada Típico	0.02µs
Longitud	4.5mm
Anchura	3.7mm
Altura	1.2mm
Corriente de cortocircuito	80µA
Polaridad	Positivo
Tiempo de Subida Típico	0.02µs