Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR + luz visible, λ sensibilidad máx. 850nm, mont. pasante, encapsulado DIP de 2 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
247-240
Nº ref. fabric.:
BPW 34
Fabricante:
ams OSRAM
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Marca

ams OSRAM

Espectros Detectados

infrarrojo, Luz Visible

Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico

850nm

Encapsulado

DIP

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Número de Pines

2

Material del Diodo

Si

Mínima Longitud de Onda Detectada

400nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1100nm

Longitud

4.5mm

Anchura

4mm

Altura

2.2mm

Fotosensibilidad de Pico

0.62A/W

Polaridad

Inverso

Fotodiodo PIN con encapsulado DIL


Esta familia de fotodiodos de IR, de OSRAM Opto Semiconductors, pertenece a la serie BPW 34. Se suministran en encapsulados plásticos DIL de montaje en superficie (SMD) u orificio pasante con un área sensible a la radiación de 2,65 x 2,65 mm². Los fotodiodos de infrarrojos BPW 34 están diseñados para aplicaciones con un rango de longitud de onda de hasta 1.100 nm. Entre otras aplicaciones adecuadas se incluyen: fotointerruptores, control remoto de infrarrojos y sensores para automoción, auriculares, etc.


Fotodiodos de infrarrojos, OSRAM Opto Semiconductors

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