Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR + luz visible, λ sensibilidad máx. 850nm, mont. superficial, encapsulado DIP de 2
- Código RS:
- 168-5302
- Nº ref. fabric.:
- BPW 34 SR
- Fabricante:
- ams OSRAM
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|---|---|---|
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- Código RS:
- 168-5302
- Nº ref. fabric.:
- BPW 34 SR
- Fabricante:
- ams OSRAM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ams OSRAM | |
| Espectros Detectados | infrarrojo, Luz Visible | |
| Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico | 850nm | |
| Encapsulado | DIP | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Función de amplificador | No | |
| Número de Pines | 2 | |
| Material del Diodo | Si | |
| Mínima Longitud de Onda Detectada | 400nm | |
| Máxima Longitud de Onda Detectada | 1100nm | |
| Longitud | 4.5mm | |
| Anchura | 4mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Fotosensibilidad de Pico | 0.62A/W | |
| Polaridad | Inverso | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ams OSRAM | ||
Espectros Detectados infrarrojo, Luz Visible | ||
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico 850nm | ||
Encapsulado DIP | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Función de amplificador No | ||
Número de Pines 2 | ||
Material del Diodo Si | ||
Mínima Longitud de Onda Detectada 400nm | ||
Máxima Longitud de Onda Detectada 1100nm | ||
Longitud 4.5mm | ||
Anchura 4mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Fotosensibilidad de Pico 0.62A/W | ||
Polaridad Inverso | ||
Fotodiodo PIN, área sensible radiante, 2,65 x 2,65 mm
Esta gama de fotodiodos PIN, de OSRAM Opto Semiconductors, tiene un área sensible de 2,65 x 2,65 mm². Están disponibles con o sin filtro de luz diurna.
Estos fotodiodos PIN son ideales para aplicaciones de alta velocidad.
Estos fotodiodos PIN son ideales para aplicaciones de alta velocidad.
Fotodiodos de infrarrojos, OSRAM Opto Semiconductors
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