Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR + luz visible, λ sensibilidad máx. 850nm, mont. superficial, encapsulado DIP de 2

Código RS:: 654-8261
Nº ref. fabric.:: BPW 34 SR-Z
Fabricante:: ams OSRAM

Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR + luz visible, λ sensibilidad máx. 850nm, mont. superficial, encapsulado DIP de 2

45 Disponible para entrega en 24/48 horas

435 Disponible para entrega en 24/48 horas

Añadido

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

0,976 €

(exc. IVA)

1,181 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 - 45	0,976 €	4,88 €
50 - 120	0,948 €	4,74 €
125 - 245	0,92 €	4,60 €
250 - 495	0,89 €	4,45 €
500 +	0,862 €	4,31 €
*precio indicativo

Código RS:: 654-8261
Nº ref. fabric.:: BPW 34 SR-Z
Fabricante:: ams OSRAM

Documentación Técnica

Datasheet

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Fotodiodo PIN, área sensible radiante, 2,65 x 2,65 mm

Esta gama de fotodiodos PIN, de OSRAM Opto Semiconductors, tiene un área sensible de 2,65 x 2,65 mm². Están disponibles con o sin filtro de luz diurna.
Estos fotodiodos PIN son ideales para aplicaciones de alta velocidad.

Fotodiodos de infrarrojos, OSRAM Opto Semiconductors

Especificaciones

Atributo	Valor
Espectros Detectados	infrarrojo, Luz Visible
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico	850nm
Encapsulado	DIP
Función de amplificador	No
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Número de Pines	2
Material del Diodo	Si
Mínima Longitud de Onda Detectada	400nm
Máxima Longitud de Onda Detectada	1100nm
Longitud	4.5mm
Anchura	4mm
Altura	1.2mm
Fotosensibilidad de Pico	0.62A/W
Polaridad	Inverso

Código RS:: 654-8261
Nº ref. fabric.:: BPW 34 SR-Z
Fabricante:: ams OSRAM

Datasheet

Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR + luz visible, λ sensibilidad máx. 850nm, mont. superficial, encapsulado DIP de 2

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Fotodiodo PIN, área sensible radiante, 2,65 x 2,65 mm

Especificaciones

Fotodiodo PIN, área sensible radiante, 2,65 x 2,65 mm

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