Fototransistor VEMT3705X02-GS08 Vishay VEMT3705X02 Radiación de infrarrojos cercanos, Radiación de infrarrojos visible

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Código RS:
637-778
Nº ref. fabric.:
VEMT3705X02-GS08
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

Fototransistor

Espectros detectados

Radiación de infrarrojos cercanos, Radiación de infrarrojos visible

Tiempo de caída típico

21000ns

Longitud de onda máxima

950nm

Tiempo de subida típico

14000ns

Embalaje y empaquetado

Cinta y carrete

Corriente a plena luz máxima

0.6mA

Corriente en la oscuridad máxima

200nA

Ángulo de media sensibilidad

60 °

Tipo de montaje

Superficie

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Encapsulado

PLCC 2

Temperatura de funcionamiento máxima

100°C

Corriente de colector

50mA

Altura

1.75mm

Longitud

3.5mm

Anchura

2.8mm

Certificaciones y estándares

J-STD-020

Estándar de automoción

AEC-Q102

Serie

VEMT3705X02

Tensión colector-emisor

20V

Tensión emisor-colector

7.8V

COO (País de Origen):
DE
El fototransistor planar epitaxial NPN de silicio de alta velocidad de Vishay está alojado en un encapsulado PLCC-2 compacto y está diseñado para detectar radiación visible y de infrarrojos cercanos, lo que lo hace ideal para aplicaciones de detección de luz precisas.

El tipo de encapsulado es de montaje en superficie

La forma de encapsulado es PLCC-2

Cualificación AEC-Q102

Tiempos de respuesta rápidos

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