IXYS IGBT, IXGT30N120B3D1, Tipo N-Canal, 50 A, 1200 V, TO-268, 3 pines Orificio pasante, 160 ns

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Código RS:
192-635
Número de artículo Distrelec:
302-53-420
Nº ref. fabric.:
IXGT30N120B3D1
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

50A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Encapsulado

TO-268

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

160ns

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

3.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Serie

Mid-Frequency

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Discretos IGBT, IXYS


IGBT discretos y módulos, IXYS


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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