IGBT, IXGT30N120B3D1, 50 A, 1.200 V, TO-268, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 192-635
- Nº ref. fabric.:
- IXGT30N120B3D1
- Fabricante:
- IXYS
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- Código RS:
- 192-635
- Nº ref. fabric.:
- IXGT30N120B3D1
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- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tipo de Encapsulado | TO-268 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 16.05 x 14 x 5.1mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 50 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tipo de Encapsulado TO-268 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 16.05 x 14 x 5.1mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Discretos IGBT, IXYS
IGBT discretos y módulos, IXYS
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.