IGBT, IXGH40N120B2D1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 192-988
- Nº ref. fabric.:
- IXGH40N120B2D1
- Fabricante:
- IXYS
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
17,54 €
(exc. IVA)
21,22 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 39 unidad(es) más para enviar a partir del 29 de diciembre de 2025
- Disponible(s) 50 unidad(es) más para enviar a partir del 05 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 17,54 € |
| 5 - 19 | 15,10 € |
| 20 - 49 | 14,45 € |
| 50 - 99 | 12,59 € |
| 100 + | 12,29 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 192-988
- Nº ref. fabric.:
- IXGH40N120B2D1
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 75 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 16.26 x 5.3 x 21.46mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 75 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 16.26 x 5.3 x 21.46mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Discretos IGBT, IXYS
IGBT discretos y módulos, IXYS
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.