IXYS IGBT, IXA12IF1200HB, Tipo N-Canal, 20 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante

Ver todo IGBT
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

17,49 €

(exc. IVA)

21,162 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Disponible(s) 4 unidad(es) más para enviar a partir del 16 de marzo de 2026
  • Última(s) 8 unidad(es) para enviar desde el 23 de marzo de 2026
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 - 88,745 €17,49 €
10 - 188,52 €17,04 €
20 - 588,28 €16,56 €
60 - 1788,075 €16,15 €
180 +7,89 €15,78 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
808-0256
Número de artículo Distrelec:
304-45-327
Nº ref. fabric.:
IXA12IF1200HB
Fabricante:
IXYS
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

IXYS

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

20A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

85W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Serie

Planar

Certificaciones y estándares

IEC 60747, RoHS, Epoxy meets UL 94V-0

Anchura

16.24 mm

Altura

5.3mm

Longitud

20.3mm

Estándar de automoción

No

IGBT discretos, serie XPT, IXYS


La gama XPT™ de IGBT de IXYS ofrece tecnología de oblea fina de perforación extremadamente ligera, lo que proporciona resistencia térmica reducida y bajas pérdidas de energía. Estos dispositivos ofrecen tiempos de conmutación rápidos con baja corriente de cola y están disponibles en una gran variedad de encapsulados exclusivos y estándar del sector.

Alta densidad de potencia y bajo VCE (sat)

Áreas de operación segura en polarización inversa (RBSOA) hasta la tensión nominal de ruptura

Capacidad de cortocircuito de 10 usec

Coeficiente de temperatura de tensión de encendido positiva

Diodos Sonic-FRD™ o HiPerFRED™ empaquetados conjuntamente opcionales

Encapsulados de alta tensión exclusivos y de estándar internacional

IGBT discretos y módulos, IXYS


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Enlaces relacionados