onsemi IGBT, NFAM3065L4BL Trifásico, Tipo N-Canal, 30 A, 650 V, DIP-39, 39 pines 6 Orificio pasante
- Código RS:
- 277-038
- Nº ref. fabric.:
- NFAM3065L4BL
- Fabricante:
- onsemi
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- 277-038
- Nº ref. fabric.:
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- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 30A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Número de transistores | 6 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 113W | |
| Configuración | Trifásico | |
| Encapsulado | DIP-39 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 39 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 5.6mm | |
| Longitud | 54.5mm | |
| Certificaciones y estándares | Pb-Free, UL1557 (File No.339285), RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 30A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Número de transistores 6 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 113W | ||
Configuración Trifásico | ||
Encapsulado DIP-39 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 39 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 5.6mm | ||
Longitud 54.5mm | ||
Certificaciones y estándares Pb-Free, UL1557 (File No.339285), RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- VN
El módulo de potencia del inversor integrado de ON Semiconductor cuenta con un controlador de puerta de lado alto, LVIC, seis IGBT y un sensor de temperatura (VTS), por lo que es ideal para accionar motores PMSM, BLDC y motores asíncronos de CA. Los IGBT están dispuestos en un puente trifásico con conexiones de emisor independientes para los tramos inferiores, lo que permite la máxima flexibilidad en la selección del algoritmo de control.
Interfaz lógica activa
Protección integrada contra subtensiones
Diodos y resistencias de arranque integrados
Conexiones de emisor de IGBT de lado bajo separadas para la detección de corriente individual de cada fase
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