onsemi Módulo IGBT, NXH35C120L2C2SG, Tipo N-Canal, 35 A, 650 V, DIP-26, 26 pines Orificio pasante

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Código RS:
202-5681
Nº ref. fabric.:
NXH35C120L2C2SG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

Módulo IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

35A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Encapsulado

DIP-26

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

26

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.4V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±2 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

8mm

Longitud

73mm

Certificaciones y estándares

No

Serie

CIB

Estándar de automoción

No

El módulo de alimentación moldeado por transferencia DE on Semiconductor contiene un circuito convertidor-inversor-freno compuesto por seis rectificadores de 35 amperios y 1.600 voltios, seis IGBT de 35 amperios y 1.200 voltios con diodos inversos, un IGBT de freno de 35 amperios y 1.200 voltios con diodo de freno y un termistor NTC.

Resistencia térmica baja

distancia de separación 6mm entre el contacto y el disipador térmico

Contactos soldables

Termistor

Sin plomo

Sin halógenos o sin BFR

En conformidad con RoHS

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