Nº ref. fabric.

onsemi Módulo IGBT, NXH35C120L2C2SG, Tipo N-Canal, 35 A, 650 V, DIP-26, 26 pines Orificio pasante

Código RS:: 202-5681
Nº ref. fabric.:: NXH35C120L2C2SG
Fabricante:: onsemi

onsemi Módulo IGBT, NXH35C120L2C2SG, Tipo N-Canal, 35 A, 650 V, DIP-26, 26 pines Orificio pasante

Subtotal (1 tubo de 6 unidades)*

388,488 €

(exc. IVA)

470,07 €

(inc.IVA)

Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde

Unidad(es)	Por unidad	Por Tubo*
6 +	64,748 €	388,49 €

*precio indicativo

Código RS:: 202-5681
Nº ref. fabric.:: NXH35C120L2C2SG
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Corriente continua máxima de colector Ic	35A
	Tipo de producto	Módulo IGBT
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	650V
	Disipación de potencia máxima Pd	20mW
	Encapsulado	DIP-26
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Tipo de canal	Tipo N
	Número de pines	26
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT	2.4V
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	±2 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	40 mm
	Longitud	73mm
	Altura	8mm
	Serie	CIB
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Corriente continua máxima de colector Ic 35A
	Tipo de producto Módulo IGBT
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V
	Disipación de potencia máxima Pd 20mW
	Encapsulado DIP-26
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Tipo de canal Tipo N
	Número de pines 26
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.4V
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±2 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 40 mm
	Longitud 73mm
	Altura 8mm
	Serie CIB
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet - NXH35C120L2C2SG

El módulo de alimentación moldeado por transferencia DE on Semiconductor contiene un circuito convertidor-inversor-freno compuesto por seis rectificadores de 35 amperios y 1.600 voltios, seis IGBT de 35 amperios y 1.200 voltios con diodos inversos, un IGBT de freno de 35 amperios y 1.200 voltios con diodo de freno y un termistor NTC.

Resistencia térmica baja

distancia de separación 6mm entre el contacto y el disipador térmico

Contactos soldables

Termistor

Sin plomo

Sin halógenos o sin BFR

En conformidad con RoHS

onsemi Módulo IGBT, NXH35C120L2C2SG, Tipo N-Canal, 35 A, 650 V, DIP-26, 26 pines Orificio pasante

Enlaces relacionados