Módulo IGBT, NXH35C120L2C2ESG, N-Canal, 35 A, 650 V, DIP26 6

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Código RS:
202-5680
Nº ref. fabric.:
NXH35C120L2C2ESG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

35 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20.0V

Número de transistores

6

Configuración

Trifásico

Tipo de Encapsulado

DIP26

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

El módulo de potencia moldeado de transferencia ON Semiconductor con sustrato de baja resistencia térmica que contiene un circuito convertidor-inversor-freno compuesto por seis rectificadores de 35 amperios y 1.600 voltios, seis IGBT de 35 amperios y 1.200 voltios con diodos inversos, un IGBT de freno de 35 amperios y 1.200 voltios con diodo de freno y un termistor NTC.

Resistencia térmica baja
distancia de separación 6mm entre el contacto y el disipador térmico
Contactos soldables
Termistor
Sin plomo
Sin halógenos o sin BFR
En conformidad con RoHS

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