IGBT, FGY4L100T120SWD, N-Canal, 100 A, 1200 V, TO-247-4L, 4-Pines 1

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

10,15 €

(exc. IVA)

12,28 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 30 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 - 910,15 €
10 - 999,14 €
100 - 4998,44 €
500 - 9997,82 €
1000 +7,01 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
277-076
Nº ref. fabric.:
FGY4L100T120SWD
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

100 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

1,07 kW

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

TO-247-4L

Configuración

Emisor común

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

4

COO (País de Origen):
CN
El IGBT y el diodo Gen7 de ON Semiconductor en un encapsulado TO247 de 4 terminales ofrecen un rendimiento óptimo con bajas pérdidas de conmutación y conducción, lo que permite operaciones de alta eficiencia. Estos componentes están diseñados para su uso en diversas aplicaciones, como inversores solares, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) y sistemas de almacenamiento de energía (ESS), proporcionando una gestión fiable y eficiente de la energía en estos exigentes entornos.

Capacidad de alta corriente
Conmutación suave y optimizada
Baja pérdida de conmutación
Conforme a RoHS

Enlaces relacionados