onsemi IGBT, FGY4L100T120SWD Emisor común, Tipo N-Canal, 200 A, 1200 V, TO-247-4L, 4 pines 1 Orificio pasante

Ver todo IGBT
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

10,82 €

(exc. IVA)

13,09 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Disponible(s) 20 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 - 910,82 €
10 - 999,74 €
100 - 4999,00 €
500 - 9998,34 €
1000 +7,48 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
277-076
Nº ref. fabric.:
FGY4L100T120SWD
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Corriente continua máxima de colector Ic

200A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Número de transistores

1

Disipación de potencia máxima Pd

1.07kW

Configuración

Emisor común

Encapsulado

TO-247-4L

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

4

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

15.8mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

22.54mm

Anchura

5 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El IGBT y el diodo Gen7 de ON Semiconductor en un encapsulado TO247 de 4 terminales ofrecen un rendimiento óptimo con bajas pérdidas de conmutación y conducción, lo que permite operaciones de alta eficiencia. Estos componentes están diseñados para su uso en diversas aplicaciones, como inversores solares, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) y sistemas de almacenamiento de energía (ESS), proporcionando una gestión fiable y eficiente de la energía en estos exigentes entornos.

Capacidad de alta corriente

Conmutación suave y optimizada

Baja pérdida de conmutación

Conforme a RoHS

Enlaces relacionados