onsemi IGBT, FGY4L100T120SWD Emisor común, Tipo N-Canal, 200 A, 1200 V, TO-247-4L, 4 pines 1 Orificio pasante
- Código RS:
- 277-076
- Nº ref. fabric.:
- FGY4L100T120SWD
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 277-076
- Nº ref. fabric.:
- FGY4L100T120SWD
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 200A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.07kW | |
| Encapsulado | TO-247-4L | |
| Configuración | Emisor común | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 4 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 22.54mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 15.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 200A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.07kW | ||
Encapsulado TO-247-4L | ||
Configuración Emisor común | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 4 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 22.54mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 15.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El IGBT y el diodo Gen7 de ON Semiconductor en un encapsulado TO247 de 4 terminales ofrecen un rendimiento óptimo con bajas pérdidas de conmutación y conducción, lo que permite operaciones de alta eficiencia. Estos componentes están diseñados para su uso en diversas aplicaciones, como inversores solares, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) y sistemas de almacenamiento de energía (ESS), proporcionando una gestión fiable y eficiente de la energía en estos exigentes entornos.
Capacidad de alta corriente
Conmutación suave y optimizada
Baja pérdida de conmutación
Conforme a RoHS
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