onsemi IGBT, FGY4L75T120SWD Emisor común, Tipo N-Canal, 75 A, 1200 V, TO-247-4L, 4 pines 1 Orificio pasante

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Código RS:
277-080
Nº ref. fabric.:
FGY4L75T120SWD
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

75A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Número de transistores

1

Disipación de potencia máxima Pd

652W

Encapsulado

TO-247-4L

Configuración

Emisor común

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

4

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

15.8mm

Anchura

5 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

22.54mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El IGBT y el diodo Gen7 de ON Semiconductor en un encapsulado TO247 de 4 terminales ofrecen un rendimiento óptimo con bajas pérdidas de conmutación y conducción, lo que permite operaciones de alta eficiencia. Estos componentes están diseñados para su uso en diversas aplicaciones, como inversores solares, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) y sistemas de almacenamiento de energía (ESS), proporcionando una gestión fiable y eficiente de la energía en estos exigentes entornos.

Capacidad de alta corriente

Conmutación suave y optimizada

Baja pérdida de conmutación

Conforme con RoHS

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