Infineon IGBT, FF2400R12IP7PBPSA1 Medio puente, Tipo N-Canal, 2400 A, 1200 V, Módulo 2 Terminal roscado
- Código RS:
- 349-363
- Nº ref. fabric.:
- FF2400R12IP7PBPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-363
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- FF2400R12IP7PBPSA1
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- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 2400A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Configuración | Medio puente | |
| Encapsulado | Módulo | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.85V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 247mm | |
| Altura | 38.25mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 2400A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Número de transistores 2 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Configuración Medio puente | ||
Encapsulado Módulo | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.85V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 247mm | ||
Altura 38.25mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- DE
El módulo de IGBT doble PrimePACK 3+ de Infineon con IGBT7 TRENCHSTOP, diodo 7 controlado por emisor y NTC está diseñado para aplicaciones de alta potencia y ofrece un rendimiento y una fiabilidad excepcionales. Brinda la mayor densidad de potencia, lo que permite un funcionamiento eficiente en espacios reducidos. Con el mejor valor VCEsat de su categoría, el módulo garantiza una baja tensión de saturación, lo que mejora la eficiencia global y reduce las pérdidas de potencia.
Aumento de la densidad de potencia
Menor esfuerzo de refrigeración para la misma potencia de salida
La alta densidad de potencia permite el salto de fotogramas
Sin necesidad de conectar módulos IGBT en paralelo
Carcasa homologada
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