Infineon IGBT, IKW75N65EL5XKSA1, Tipo N-Canal, 75 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 110-7176
- Nº ref. fabric.:
- IKW75N65EL5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 2 unidades)*
13,01 €
(exc. IVA)
15,742 €
(inc.IVA)
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 6,505 € | 13,01 € |
| 10 - 18 | 6,18 € | 12,36 € |
| 20 - 48 | 5,93 € | 11,86 € |
| 50 - 98 | 5,66 € | 11,32 € |
| 100 + | 5,275 € | 10,55 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 110-7176
- Nº ref. fabric.:
- IKW75N65EL5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 75A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 536W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.35V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | TrenchStop | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Altura | 5.21mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Energía nominal | 7.22mJ | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 75A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 536W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.35V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie TrenchStop | ||
Longitud 16.13mm | ||
Altura 5.21mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Energía nominal 7.22mJ | ||
Estándar de automoción No | ||
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT discretos y módulos, Infineon
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Enlaces relacionados
- Infineon IGBT 75 A TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT 75 A TO-247, 4 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT Tipo N-Canal 650 V 4 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT 75 A TO-247, 3 pines Orificio pasante 1
- Infineon IGBT Tipo N-Canal 650 V 3 pines Orificio pasante 1
- Infineon Módulo IGBT 650 V, PG-TO-247
- Infineon Módulo IGBT 75 A PG-TO-247
- Infineon CI de transistor único IGBT 650 V 3 pines