Módulo transistor IGBT, IKW75N65SS5XKSA1, 75 A, 650 V, PG-TO247-3 2

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Código RS:
249-6947
Nº ref. fabric.:
IKW75N65SS5XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

75 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

15V

Número de transistores

2

Disipación de Potencia Máxima

395 W

Tipo de Encapsulado

PG-TO247-3

Configuración

Único

El IGBT TRENCHSTOP 5S5 de Infineon se suministra con diodo de barrera Schottky SiCTMS de 6. generación. Pérdidas de conmutación muy bajas gracias a la combinación de tecnología TRENCHSTOPTM5 y CoolSiCTM. Eficiencia de referencia en topologías de conmutación dura. Sustitución de enchufar y usar de dispositivos de silicio puro. La temperatura máxima de unión es de 175 °C

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