Módulo transistor IGBT, IKW50N65RH5XKSA1, 50 A, 650 V, PG-TO247-3 2

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
249-6941
Nº ref. fabric.:
IKW50N65RH5XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

50 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

15V

Disipación de Potencia Máxima

305 W

Número de transistores

2

Configuración

Único

Tipo de Encapsulado

PG-TO247-3

El IGBT TRENCHSTOP5 H5 de Infineon se suministra con diodo de barrera Schottky CoolSiCTM de 6. generación de media potencia. Pérdidas de conmutación muy bajas gracias a la combinación de tecnología TRENCHSTOPTM5 y CoolSiCTM. Eficiencia de referencia en topologías de conmutación dura. Sustitución de enchufar y usar de dispositivos de silicio puro. La temperatura máxima de unión es de 175 °C

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SMPS industriales
Generación de energía
Inversor de cadena solar
Distribución de energía - Almacenamiento de energía
Carga de infraestructura - Cargador

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