Nº ref. fabric.

Infineon Módulo IGBT, IKW50N65F5FKSA1, 50 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines

Código RS:: 259-1533
Nº ref. fabric.:: IKW50N65F5FKSA1
Fabricante:: Infineon

Infineon Módulo IGBT, IKW50N65F5FKSA1, 50 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
2 - 8	4,415 €	8,83 €
10 - 18	3,89 €	7,78 €
20 - 48	3,67 €	7,34 €
50 - 98	3,40 €	6,80 €
100 +	3,14 €	6,28 €

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Código RS:: 259-1533
Nº ref. fabric.:: IKW50N65F5FKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	Módulo IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic	50A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	650V
	Disipación de potencia máxima Pd	305W
	Encapsulado	PG-TO-247
	Número de pines	3
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT	1.6V
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	±20 ±30 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	16.13 mm
	Certificaciones y estándares	JEDEC, RoHS
	Serie	High Speed Fifth Generation
	Longitud	41.42mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto Módulo IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic 50A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V
	Disipación de potencia máxima Pd 305W
	Encapsulado PG-TO-247
	Número de pines 3
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 ±30 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 16.13 mm
	Certificaciones y estándares JEDEC, RoHS
	Serie High Speed Fifth Generation
	Longitud 41.42mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - IKW50N65F5FKSA1

El IGBT de conmutación rígida de alta velocidad de Infineon está equipado con un diodo antiparalelo rápido y suave RAPID 1 en un encapsulado TO-247, se define como el IGBT "mejor de su clase". Tiene la mejor eficiencia de su clase, lo que resulta en una menor temperatura de unión y carcasa que conduce a una mayor fiabilidad del dispositivo. Un aumento de 50 V en la tensión del bus es posible sin comprometer la fiabilidad.

Tensión de ruptura de 650 V

En comparación con la familia HighSpeed 3 mejor de su clase

Factor de 2,5 Qg inferior

Reducción en factor 2 de las pérdidas de conmutación

Reducción de 200 mV en VCEsat

Empaquetado con tecnología de diodo Si rápida

COES/EOSS bajo

Coeficiente de temperatura positivo suave VCEsa

Infineon Módulo IGBT, IKW50N65F5FKSA1, 50 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines

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