Nº ref. fabric.

Infineon Módulo IGBT, IKW50N65F5FKSA1, 50 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines

Código RS:: 259-1533
Nº ref. fabric.:: IKW50N65F5FKSA1
Fabricante:: Infineon

Infineon Módulo IGBT, IKW50N65F5FKSA1, 50 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
2 - 8	4,415 €	8,83 €
10 - 18	3,89 €	7,78 €
20 - 48	3,67 €	7,34 €
50 - 98	3,40 €	6,80 €
100 +	3,14 €	6,28 €

*precio indicativo

Código RS:: 259-1533
Nº ref. fabric.:: IKW50N65F5FKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	Módulo IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic	50A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	650V
	Disipación de potencia máxima Pd	305W
	Encapsulado	PG-TO-247
	Número de pines	3
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT	1.6V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	±20 ±30 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	16.13 mm
	Longitud	41.42mm
	Certificaciones y estándares	JEDEC, RoHS
	Serie	High Speed Fifth Generation
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de producto Módulo IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic 50A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V
	Disipación de potencia máxima Pd 305W
	Encapsulado PG-TO-247
	Número de pines 3
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 ±30 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 16.13 mm
	Longitud 41.42mm
	Certificaciones y estándares JEDEC, RoHS
	Serie High Speed Fifth Generation
	Estándar de automoción No

Datasheet - IKW50N65F5FKSA1

El IGBT de conmutación rígida de alta velocidad de Infineon está equipado con un diodo antiparalelo rápido y suave RAPID 1 en un encapsulado TO-247, se define como el IGBT "mejor de su clase". Tiene la mejor eficiencia de su clase, lo que resulta en una menor temperatura de unión y carcasa que conduce a una mayor fiabilidad del dispositivo. Un aumento de 50 V en la tensión del bus es posible sin comprometer la fiabilidad.

Tensión de ruptura de 650 V

En comparación con la familia HighSpeed 3 mejor de su clase

Factor de 2,5 Qg inferior

Reducción en factor 2 de las pérdidas de conmutación

Reducción de 200 mV en VCEsat

Empaquetado con tecnología de diodo Si rápida

COES/EOSS bajo

Coeficiente de temperatura positivo suave VCEsa

Infineon Módulo IGBT, IKW50N65F5FKSA1, 50 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines

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