Módulo transistor IGBT, IKW40N65RH5XKSA1, 40 A, 650 V, PG-TO247-3 2

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
249-6939
Nº ref. fabric.:
IKW40N65RH5XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

40 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

15V

Número de transistores

2

Disipación de Potencia Máxima

250 W

Tipo de Encapsulado

PG-TO247-3

Configuración

Único

El diodo de barrera Schottky de Infineon tiene pérdidas de conmutación muy bajas gracias a la combinación de tecnología TRENCHSTOPTM5 y CoolSiCTM. Eficiencia de referencia en topologías de conmutación dura. Sustitución de enchufar y usar de dispositivos de silicio puro. La temperatura máxima de unión es de 175 °C.

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Distribución de energía
Almacenamiento de energía
Carga de infraestructura
Cargador

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