Módulo transistor IGBT, IKW40N65RH5XKSA1, 40 A, 650 V, PG-TO247-3 2

Ver todo IGBT
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*

107,46 €

(exc. IVA)

130,02 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 22 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
30 - 303,582 €107,46 €
60 - 1203,403 €102,09 €
150 +3,26 €97,80 €

*precio indicativo

Código RS:
249-6938
Nº ref. fabric.:
IKW40N65RH5XKSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

40 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

15V

Número de transistores

2

Disipación de Potencia Máxima

250 W

Tipo de Encapsulado

PG-TO247-3

Configuración

Único

El diodo de barrera Schottky de Infineon tiene pérdidas de conmutación muy bajas gracias a la combinación de tecnología TRENCHSTOPTM5 y CoolSiCTM. Eficiencia de referencia en topologías de conmutación dura. Sustitución de enchufar y usar de dispositivos de silicio puro. La temperatura máxima de unión es de 175 °C.

Fuentes de alimentación industriales
SMPS industriales
USP inidustriales
Generación de energía
Inversor de cadena solar
Distribución de energía
Almacenamiento de energía
Carga de infraestructura
Cargador

Enlaces relacionados