Módulo transistor IGBT, IGW50N65F5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3

La nueva tecnología TRENCHSTOPIGBT de Infineon redefine el IGBT "mejor de su clase" al proporcionar un rendimiento inigualable en términos de eficiencia para aplicaciones de conmutación rígida. La nueva familia es un gran avance en la innovación IGBT para adaptarse a las demandas de alta eficiencia del mercado del futuro. Tiene la mejor eficiencia de su clase, lo que resulta en una menor temperatura de unión y carcasa que conduce a una mayor fiabilidad del dispositivo. Un aumento de 50 V en la tensión del bus es posible sin comprometer la fiabilidad.

Tensión de ruptura de 650 V
En comparación con la familia HighSpeed 3 de Infineon, la mejor de su clase
Factor de 2,5 Qg inferior
Reducción en factor 2 de las pérdidas de conmutación
Reducción de 200 mV en V CE(sat)
Bajo C OES/E OSS
Coeficiente de temperatura positivo suave V CE(sat)
Estabilidad de temperatura