Infineon IGBT, 50 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines
- Código RS:
- 258-1017
- Nº ref. fabric.:
- IKW50N65ET7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Disponible
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 3,312 € | 99,36 € |
| 60 - 120 | 3,147 € | 94,41 € |
| 150 + | 3,014 € | 90,42 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-1017
- Nº ref. fabric.:
- IKW50N65ET7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 50A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 273W | |
| Encapsulado | PG-TO-247 | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.65V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 5.3mm | |
| Longitud | 41.9mm | |
| Anchura | 16.3 mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 50A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 273W | ||
Encapsulado PG-TO-247 | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.65V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 5.3mm | ||
Longitud 41.9mm | ||
Anchura 16.3 mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
El TRENCHSTOP IGBT7 discreto de 650 V, 50 A de conmutación rígida de Infineon en encapsulado TO-247 con diodo EC7 suave en el interior. Esta gama de rendimiento optimizado de precio tiene una controlabilidad superior para mejorar la EMI, mientras que las pérdidas de conmutación son más bajas que las tecnologías anteriores.
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de extremo corto
EMI reducida
Diseño resistente a la humedad
Diodo antiparalelo muy suave y de recuperación rápida