Módulo transistor IGBT, IGW50N65F5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3
- Código RS:
- 259-1526
- Nº ref. fabric.:
- IGW50N65F5FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,218 € | 66,54 € |
| 60 - 120 | 2,107 € | 63,21 € |
| 150 + | 2,018 € | 60,54 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 259-1526
- Nº ref. fabric.:
- IGW50N65F5FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 80 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 305 W | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO247-3 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 80 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 305 W | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO247-3 | ||
La nueva tecnología TRENCHSTOPIGBT de Infineon redefine el IGBT "mejor de su clase" al proporcionar un rendimiento inigualable en términos de eficiencia para aplicaciones de conmutación rígida. La nueva familia es un gran avance en la innovación IGBT para adaptarse a las demandas de alta eficiencia del mercado del futuro. Tiene la mejor eficiencia de su clase, lo que resulta en una menor temperatura de unión y carcasa que conduce a una mayor fiabilidad del dispositivo. Un aumento de 50 V en la tensión del bus es posible sin comprometer la fiabilidad.
Tensión de ruptura de 650 V
En comparación con la familia HighSpeed 3 de Infineon, la mejor de su clase
Factor de 2,5 Qg inferior
Reducción en factor 2 de las pérdidas de conmutación
Reducción de 200 mV en V CE(sat)
Bajo C OES/E OSS
Coeficiente de temperatura positivo suave V CE(sat)
Estabilidad de temperatura
En comparación con la familia HighSpeed 3 de Infineon, la mejor de su clase
Factor de 2,5 Qg inferior
Reducción en factor 2 de las pérdidas de conmutación
Reducción de 200 mV en V CE(sat)
Bajo C OES/E OSS
Coeficiente de temperatura positivo suave V CE(sat)
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