Infineon Módulo IGBT, 50 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines
- Código RS:
- 259-1526
- Nº ref. fabric.:
- IGW50N65F5FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,218 € | 66,54 € |
| 60 - 120 | 2,107 € | 63,21 € |
| 150 + | 2,018 € | 60,54 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 259-1526
- Nº ref. fabric.:
- IGW50N65F5FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 50A | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 305W | |
| Encapsulado | PG-TO-247 | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 ±30 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 50A | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 305W | ||
Encapsulado PG-TO-247 | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 ±30 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
La nueva tecnología TRENCHSTOPIGBT de Infineon redefine el IGBT "mejor de su clase" al proporcionar un rendimiento inigualable en términos de eficiencia para aplicaciones de conmutación rígida. La nueva familia es un gran avance en la innovación IGBT para adaptarse a las demandas de alta eficiencia del mercado del futuro. Tiene la mejor eficiencia de su clase, lo que resulta en una menor temperatura de unión y carcasa que conduce a una mayor fiabilidad del dispositivo. Un aumento de 50 V en la tensión del bus es posible sin comprometer la fiabilidad.
Tensión de ruptura de 650 V
En comparación con la familia HighSpeed 3 de Infineon, la mejor de su clase
Factor de 2,5 Qg inferior
Reducción en factor 2 de las pérdidas de conmutación
Reducción de 200 mV en V CE(sat)
Bajo C OES/E OSS
Coeficiente de temperatura positivo suave V CE(sat)
Estabilidad de temperatura
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