Infineon Módulo IGBT, 50 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines
- Código RS:
- 259-1532
- Nº ref. fabric.:
- IKW50N65F5FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,136 € | 64,08 € |
| 60 - 120 | 2,029 € | 60,87 € |
| 150 + | 1,944 € | 58,32 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 259-1532
- Nº ref. fabric.:
- IKW50N65F5FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 50A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 305W | |
| Encapsulado | PG-TO-247 | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.6V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, RoHS | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Longitud | 41.42mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 50A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 305W | ||
Encapsulado PG-TO-247 | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, RoHS | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Longitud 41.42mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT de conmutación rígida de alta velocidad de Infineon está equipado con un diodo antiparalelo rápido y suave RAPID 1 en un encapsulado TO-247, se define como el IGBT "mejor de su clase". Tiene la mejor eficiencia de su clase, lo que resulta en una menor temperatura de unión y carcasa que conduce a una mayor fiabilidad del dispositivo. Un aumento de 50 V en la tensión del bus es posible sin comprometer la fiabilidad.
Tensión de ruptura de 650 V
En comparación con la familia HighSpeed 3 mejor de su clase
Factor de 2,5 Qg inferior
Reducción en factor 2 de las pérdidas de conmutación
Reducción de 200 mV en VCEsat
Empaquetado con tecnología de diodo Si rápida
COES/EOSS bajo
Coeficiente de temperatura positivo suave VCEsa
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