Infineon IGBT, IKW40N65H5FKSA1, Tipo N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 110-7779
- Nº ref. fabric.:
- IKW40N65H5FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | 4,153 € | 16,61 € |
| 20 - 36 | 3,78 € | 15,12 € |
| 40 - 96 | 3,535 € | 14,14 € |
| 100 - 196 | 3,283 € | 13,13 € |
| 200 + | 3,03 € | 12,12 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 110-7779
- Nº ref. fabric.:
- IKW40N65H5FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Corriente continua máxima de colector Ic | 40A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.1V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, RoHS | |
| Energía nominal | 0.51mJ | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Corriente continua máxima de colector Ic 40A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.1V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, RoHS | ||
Energía nominal 0.51mJ | ||
Estándar de automoción No | ||
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT discretos y módulos, Infineon
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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