IGBT, IGW50N65H5FKSA1, N-Canal, 50 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 110-7157
- Nº ref. fabric.:
- IGW50N65H5FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | 3,943 € | 15,77 € |
| 20 - 36 | 3,748 € | 14,99 € |
| 40 - 96 | 3,588 € | 14,35 € |
| 100 - 196 | 3,353 € | 13,41 € |
| 200 + | 3,155 € | 12,62 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 110-7157
- Nº ref. fabric.:
- IGW50N65H5FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 305 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Capacitancia de puerta | 3000pF | |
| Energía nominal | 0.7mJ | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 50 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 305 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Capacitancia de puerta 3000pF | ||
Energía nominal 0.7mJ | ||
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• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
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