IGBT, IKW50N65EH5XKSA1, N-Canal, 80 A, 650 V, PG-TO247, 3-Pines 1
- Código RS:
- 226-6118
- Nº ref. fabric.:
- IKW50N65EH5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
10,75 €
(exc. IVA)
13,008 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 210 unidad(es) más para enviar a partir del 05 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 5,375 € | 10,75 € |
| 10 - 18 | 4,84 € | 9,68 € |
| 20 - 48 | 4,515 € | 9,03 € |
| 50 - 98 | 4,195 € | 8,39 € |
| 100 + | 3,87 € | 7,74 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 226-6118
- Nº ref. fabric.:
- IKW50N65EH5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 80 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 30V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 275 W | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO247 | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 80 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 30V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 275 W | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO247 | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
El Infineon IKW50N65EH5 es un IGBT de conmutación dura de alta velocidad de 650 V que se utiliza junto con tecnología de diodo Schottky Rapid. Tiene un diseño de densidad de potencia superior y COES/EOSS bajo.
Factor 2,5: QG inferior
Reducción del factor 2 en pérdidas de conmutación
Reducción de 200mV en VCEsat
Reducción del factor 2 en pérdidas de conmutación
Reducción de 200mV en VCEsat