Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 30 kHz

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Código RS:
133-8575
Nº ref. fabric.:
IKW50N65ES5XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente continua máxima de colector Ic

80A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

274W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

30kHz

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.7V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

TrenchStop

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Energía nominal

1.78mJ

COO (País de Origen):
CN

Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V


Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V

• VCEsat muy baja

• Pérdidas de desconexión bajas

• Corriente de recuperación de cortocircuito

• EMI bajo

• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

IGBT discretos y módulos, Infineon


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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