IGBT, IKW75N65ET7XKSA1, 650 V, PG-TO247-3
- Código RS:
- 258-1022
- Nº ref. fabric.:
- IKW75N65ET7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,86 € |
| 10 - 24 | 4,62 € |
| 25 - 49 | 4,42 € |
| 50 - 99 | 4,23 € |
| 100 + | 3,93 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-1022
- Nº ref. fabric.:
- IKW75N65ET7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO247-3 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO247-3 | ||
El TRENCHSTOP IGBT7 discreto de 650 V, 75 A de conmutación rígida de Infineon en encapsulado TO-247 con diodo EC7 suave en el interior. Esta gama de rendimiento optimizado de precio tiene una controlabilidad superior para mejorar la EMI, mientras que las pérdidas de conmutación son más bajas que las tecnologías anteriores.
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de extremo corto
EMI reducida
Diseño resistente a la humedad
Corriente de extremo corto
EMI reducida
Diseño resistente a la humedad