Infineon IGBT, IKW75N65ET7XKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines
- Código RS:
- 258-1022
- Nº ref. fabric.:
- IKW75N65ET7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,91 € |
| 10 - 24 | 4,67 € |
| 25 - 49 | 4,46 € |
| 50 - 99 | 4,27 € |
| 100 + | 3,97 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-1022
- Nº ref. fabric.:
- IKW75N65ET7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 80A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Encapsulado | PG-TO-247 | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.65V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 41.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 5.3mm | |
| Anchura | 16.3 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 80A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Encapsulado PG-TO-247 | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.65V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 41.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 5.3mm | ||
Anchura 16.3 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El TRENCHSTOP IGBT7 discreto de 650 V, 75 A de conmutación rígida de Infineon en encapsulado TO-247 con diodo EC7 suave en el interior. Esta gama de rendimiento optimizado de precio tiene una controlabilidad superior para mejorar la EMI, mientras que las pérdidas de conmutación son más bajas que las tecnologías anteriores.
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de extremo corto
EMI reducida
Diseño resistente a la humedad