Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 62 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 30 kHz

Código RS:: 144-1201
Número de artículo Distrelec:: 304-30-526
Nº ref. fabric.:: IKW30N65ES5XKSA1
Fabricante:: Infineon

Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 62 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 30 kHz

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Código RS:: 144-1201
Número de artículo Distrelec:: 304-30-526
Nº ref. fabric.:: IKW30N65ES5XKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic	62A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	650V
	Disipación de potencia máxima Pd	188W
	Encapsulado	TO-247
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Tipo de canal	Tipo N
	Número de pines	3
	Velocidad de conmutación	30kHz
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT	1.7V
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	±30 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Serie	TrenchStop
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No
	Energía nominal	0.88mJ

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic 62A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V
	Disipación de potencia máxima Pd 188W
	Encapsulado TO-247
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Tipo de canal Tipo N
	Número de pines 3
	Velocidad de conmutación 30kHz
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.7V
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Serie TrenchStop
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No
	Energía nominal 0.88mJ

Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V

Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V

• VCEsat muy baja

• Pérdidas de desconexión bajas

• Corriente de recuperación de cortocircuito

• EMI bajo

• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

IGBT discretos y módulos, Infineon

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 62 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 30 kHz

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Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V

IGBT discretos y módulos, Infineon

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