IGBT, IKW30N65ES5XKSA1, N-Canal, 62 A, 650 V, TO-247, 3-Pines, 30kHz 1 Simple
- Código RS:
- 144-1201
- Nº ref. fabric.:
- IKW30N65ES5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
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| 10 - 10 | 1,908 € | 19,08 € |
| 20 - 40 | 1,813 € | 18,13 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 144-1201
- Nº ref. fabric.:
- IKW30N65ES5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 62 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20 V, ±30V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 188 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Velocidad de Conmutación | 30kHz | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Capacitancia de puerta | 1800pF | |
| Energía nominal | 0.88mJ | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 62 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20 V, ±30V | ||
Disipación de Potencia Máxima 188 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Velocidad de Conmutación 30kHz | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Capacitancia de puerta 1800pF | ||
Energía nominal 0.88mJ | ||
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT discretos y módulos, Infineon
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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