IGBT, IHW50N65R5XKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
215-6646
Nº ref. fabric.:
IHW50N65R5XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

80 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

282 W

Tipo de Encapsulado

PG-TO247-3

Conteo de Pines

3

El transistor bipolar Infineon de puerta aislada de conducción inversa con diodo de cuerpo monolítico.

Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética

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