Infineon IGBT de conducción inversa, IHW50N65R5XKSA1, Tipo N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante

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Código RS:
215-6646
Nº ref. fabric.:
IHW50N65R5XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente continua máxima de colector Ic

80A

Tipo de producto

IGBT de conducción inversa

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

282W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.35V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022

Serie

Resonant Switching

Estándar de automoción

No

El transistor bipolar Infineon de puerta aislada de conducción inversa con diodo de cuerpo monolítico.

Eficiencia alta

Pérdidas de conmutación bajas

Mayor fiabilidad

Baja interferencia electromagnética

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