Infineon IGBT de conducción inversa, IHW30N65R6XKSA1, Tipo N-Canal, 65 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 225-0572
- Nº ref. fabric.:
- IHW30N65R6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,604 € | 13,02 € |
| 25 - 45 | 2,342 € | 11,71 € |
| 50 - 120 | 2,184 € | 10,92 € |
| 125 - 245 | 2,028 € | 10,14 € |
| 250 + | 1,90 € | 9,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 225-0572
- Nº ref. fabric.:
- IHW30N65R6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 65A | |
| Tipo de producto | IGBT de conducción inversa | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 160W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.6V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | IHW30N65R6 | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22 | |
| Altura | 5.3mm | |
| Anchura | 16.3 mm | |
| Longitud | 41.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 65A | ||
Tipo de producto IGBT de conducción inversa | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 160W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie IHW30N65R6 | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22 | ||
Altura 5.3mm | ||
Anchura 16.3 mm | ||
Longitud 41.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon IHW30N65R6 es el IGBT de 650 V, 30 A con diodo integrado monolíticamente en encapsulado TO-247 con diodo integrado monolíticamente diseñado para cumplir los requisitos exigentes de aplicaciones de calentamiento de inducción usando topología resonante de medio puente.
Alta resistencia y comportamiento de temperatura estable
EMI bajo
Chapado de cable sin Pb; compatible con RoHS
Diodo de conducción inversa monolítico potente con baja tensión directa