IGBT, IHW30N65R6XKSA1, 65 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines
- Código RS:
- 225-0571
- Nº ref. fabric.:
- IHW30N65R6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 240 - 240 | 1,368 € | 328,32 € |
| 480 - 480 | 1,30 € | 312,00 € |
| 720 + | 1,218 € | 292,32 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 225-0571
- Nº ref. fabric.:
- IHW30N65R6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 65 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±30V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 160 W | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO247-3 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 65 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±30V | ||
Disipación de Potencia Máxima 160 W | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO247-3 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
El Infineon IHW30N65R6 es el IGBT de 650 V, 30 A con diodo integrado monolíticamente en encapsulado TO-247 con diodo integrado monolíticamente diseñado para cumplir los requisitos exigentes de aplicaciones de calentamiento de inducción usando topología resonante de medio puente.
Alta resistencia y comportamiento de temperatura estable
EMI bajo
Chapado de cable sin Pb; compatible con RoHS
Diodo de conducción inversa monolítico potente con baja tensión directa
EMI bajo
Chapado de cable sin Pb; compatible con RoHS
Diodo de conducción inversa monolítico potente con baja tensión directa