Infineon IGBT de conducción inversa, Tipo N-Canal, 65 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tubo de 240 unidades)*

274,08 €

(exc. IVA)

331,68 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 07 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
240 - 2401,142 €274,08 €
480 - 4801,085 €260,40 €
720 +1,017 €244,08 €

*precio indicativo

Código RS:
225-0571
Nº ref. fabric.:
IHW30N65R6XKSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

IGBT de conducción inversa

Corriente continua máxima de colector Ic

65A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

160W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.6V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

16.3 mm

Longitud

41.9mm

Altura

5.3mm

Serie

IHW30N65R6

Certificaciones y estándares

JEDEC47/20/22

Estándar de automoción

No

El Infineon IHW30N65R6 es el IGBT de 650 V, 30 A con diodo integrado monolíticamente en encapsulado TO-247 con diodo integrado monolíticamente diseñado para cumplir los requisitos exigentes de aplicaciones de calentamiento de inducción usando topología resonante de medio puente.

Alta resistencia y comportamiento de temperatura estable

EMI bajo

Chapado de cable sin Pb; compatible con RoHS

Diodo de conducción inversa monolítico potente con baja tensión directa

Enlaces relacionados