Módulo IGBT, MIXA450PF1200TSF, N-Canal, 650 A, 1.200 V, SimBus F, 11-Pines Serie

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Código RS:
124-0712
Nº ref. fabric.:
MIXA450PF1200TSF
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Corriente Máxima Continua del Colector

650 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±30V

Disipación de Potencia Máxima

2,1 kW

Configuración

Doble

Tipo de Encapsulado

SimBus F

Tipo de Montaje

Montaje en PCB

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

11

Configuración de transistor

Serie

Dimensiones

152 x 62 x 17mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Módulos IGBT, IXYS



IGBT discretos y módulos, IXYS


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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