IXYS Módulo IGBT XPT, Tipo N-Canal, 450 A, 1200 V, SimBus F, 11 pines Montaje en PCB, 85 ns 2
- Código RS:
- 146-1703
- Nº ref. fabric.:
- MIXA450PF1200TSF
- Fabricante:
- IXYS
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 146-1703
- Nº ref. fabric.:
- MIXA450PF1200TSF
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | Módulo IGBT XPT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 450A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2100W | |
| Número de transistores | 2 | |
| Encapsulado | SimBus F | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 11 | |
| Velocidad de conmutación | 85ns | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 152mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60747, RoHS | |
| Serie | MIXA450PF1200TSF | |
| Altura | 17mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto Módulo IGBT XPT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 450A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2100W | ||
Número de transistores 2 | ||
Encapsulado SimBus F | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 11 | ||
Velocidad de conmutación 85ns | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 152mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 60747, RoHS | ||
Serie MIXA450PF1200TSF | ||
Altura 17mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- DE
Módulos IGBT, IXYS
IGBT discretos y módulos, IXYS
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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