Infineon Módulo IGBT, FP40R12KE3GBOSA1, Tipo N-Canal, 55 A, 1.2 kV, ECONO3, 35 pines Orificio pasante, 1 MHz 7

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Código RS:
124-8788
Nº ref. fabric.:
FP40R12KE3GBOSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Módulo IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

55A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1.2kV

Disipación de potencia máxima Pd

210W

Número de transistores

7

Encapsulado

ECONO3

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

35

Velocidad de conmutación

1MHz

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

No

Serie

FP40R12KE3G

Altura

17mm

Longitud

122mm

Anchura

62 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

Módulo IGBT, Infineon


La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.

Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.

Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT discretos y módulos, Infineon


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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