IXYS Módulo IGBT, IXGN320N60A3, Tipo N-Canal, 320 A, 600 V, SOT-227, 4 pines Superficie, 5 kHz
- Código RS:
- 125-8046
- Número de artículo Distrelec:
- 302-53-418
- Nº ref. fabric.:
- IXGN320N60A3
- Fabricante:
- IXYS
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- Código RS:
- 125-8046
- Número de artículo Distrelec:
- 302-53-418
- Nº ref. fabric.:
- IXGN320N60A3
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 320A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 735W | |
| Encapsulado | SOT-227 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 4 | |
| Velocidad de conmutación | 5kHz | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Serie | Low-Frequency | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 38.23mm | |
| Altura | 9.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 320A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 735W | ||
Encapsulado SOT-227 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 4 | ||
Velocidad de conmutación 5kHz | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Serie Low-Frequency | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 38.23mm | ||
Altura 9.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Discretos IGBT, IXYS
IGBT discretos y módulos, IXYS
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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