Módulo IGBT, IXGN320N60A3, N-Canal, 320 A, 600 V, SOT-227B, 4-Pines, 5kHz Emisor común
- Código RS:
- 125-8046
- Nº ref. fabric.:
- IXGN320N60A3
- Fabricante:
- IXYS
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 1 | 47,38 € |
| 2 - 4 | 41,13 € |
| 5 - 9 | 40,04 € |
| 10 - 19 | 38,99 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 125-8046
- Nº ref. fabric.:
- IXGN320N60A3
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 320 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 735 W | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-227B | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 4 | |
| Velocidad de Conmutación | 5kHz | |
| Configuración de transistor | Emisor común | |
| Dimensiones | 38.23 x 25.07 x 9.6mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 320 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 735 W | ||
Tipo de Encapsulado SOT-227B | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 4 | ||
Velocidad de Conmutación 5kHz | ||
Configuración de transistor Emisor común | ||
Dimensiones 38.23 x 25.07 x 9.6mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Discretos IGBT, IXYS
IGBT discretos y módulos, IXYS
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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