Módulo IGBT, IXGN320N60A3, N-Canal, 320 A, 600 V, SOT-227B, 4-Pines, 5kHz Emisor común

IGBT discretos y módulos, IXYS

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.