- Código RS:
- 133-9871
- Nº ref. fabric.:
- IKW50N60DTPXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio Unidad
3,06 €
(exc. IVA)
3,70 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad |
---|---|
1 - 9 | 3,06 € |
10 - 24 | 2,91 € |
25 - 49 | 2,85 € |
50 - 99 | 2,67 € |
100 + | 2,45 € |
- Código RS:
- 133-9871
- Nº ref. fabric.:
- IKW50N60DTPXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT discretos y módulos, Infineon
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 80 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
Número de transistores | 1 |
Disipación de Potencia Máxima | 319,2 W |
Tipo de Encapsulado | TO-247 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Velocidad de Conmutación | 30kHz |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
Capacitancia de puerta | 1950pF |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
Energía nominal | 2.38mJ |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
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