onsemi IGBT, Tipo N-Canal, 40 A, 600 V, TO-3PF, 3 pines Orificio pasante, 130 ns
- Código RS:
- 145-4338
- Nº ref. fabric.:
- FGAF40N60UFTU
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 145-4338
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- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 40A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Encapsulado | TO-3PF | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 130ns | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC, RoHS | |
| Serie | UF | |
| Longitud | 26.5mm | |
| Altura | 5.45mm | |
| Anchura | 23 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 40A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Encapsulado TO-3PF | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 130ns | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares AEC, RoHS | ||
Serie UF | ||
Longitud 26.5mm | ||
Altura 5.45mm | ||
Anchura 23 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.