IGBT, FGAF40S65AQ, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-3PF, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 185-8956
- Nº ref. fabric.:
- FGAF40S65AQ
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 185-8956
- Nº ref. fabric.:
- FGAF40S65AQ
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 80 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 94 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-3PF | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 15.7 x 5.7 x 24.7mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Capacitancia de puerta | 2590pF | |
| Energía nominal | 325mJ | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 80 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 94 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-3PF | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 15.7 x 5.7 x 24.7mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Capacitancia de puerta 2590pF | ||
Energía nominal 325mJ | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Estado RoHS: No cumple
- COO (País de Origen):
- KR
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 4th generation of RC IGBTs offer the optimum performance for converter PFC stage of consummer and industrial applications.
Maximum junction temperature : TJ = 175°C
Positive temperaure co-efficient for easy parallel operating
High current capability
Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6V(Typ.) @ IC = 40A
High input impedance
100% of the Parts tested for ILM
Fast switching
Tightened parameter distribution
IGBT with monolithic reverse conducting diode
Applications
Consumer Appliances
PFC, Welder
Industrial application
Positive temperaure co-efficient for easy parallel operating
High current capability
Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6V(Typ.) @ IC = 40A
High input impedance
100% of the Parts tested for ILM
Fast switching
Tightened parameter distribution
IGBT with monolithic reverse conducting diode
Applications
Consumer Appliances
PFC, Welder
Industrial application