onsemi IGBT, FGAF40S65AQ, Tipo N-Canal, 80 A, 650 V, TO-3PF, 3 pines Orificio pasante

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Código RS:
185-8956
Nº ref. fabric.:
FGAF40S65AQ
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente continua máxima de colector Ic

80A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

94W

Encapsulado

TO-3PF

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.6V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

Pb-Free and is RoHS

Serie

Trench

Longitud

19.1mm

Energía nominal

325mJ

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No cumple

COO (País de Origen):
KR
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 4th generation of RC IGBTs offer the optimum performance for converter PFC stage of consummer and industrial applications.

Maximum junction temperature : TJ = 175°C

Positive temperaure co-efficient for easy parallel operating

High current capability

Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6V(Typ.) @ IC = 40A

High input impedance

100% of the Parts tested for ILM

Fast switching

Tightened parameter distribution

IGBT with monolithic reverse conducting diode

Applications

Consumer Appliances

PFC, Welder

Industrial application

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